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三极管，IGBT，场效应
三极管，IGBT，场效应
型号︰-
品牌︰IR，APT，FUJI，HIT，TOSHIBA，MOS，NEC
原产地︰-
最少订量︰-

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产品规格︰型号 品名 封装 库存数量 参考价格 制造商 登记时间
2SD1037 三极管 OK 500 面议 TOSHIBA 2003-10-31
2SD1071 三极管 TO-220 5000 面议 FUJI 2003-10-31
BYV60 三极管 TO-3 45 面议 ST 2003-10-28
MTP60N06 场效应MOS TO-220 3000 面议 IR 2003-10-28
LT1084 IC TO-3 6 面议 LT 2003-10-28
MTP6N60 场效应MOS TO-220 2000 面议 IR 2003-10-28
BYV32 二极管 TO-220 3000 面议 GI 2003-10-28
MBRB1545 肖特基二极管 TO-263 30000 面议 IR 2003-10-28
PBYR2545 肖特基二极管 TO-263 30000 面议 PH 2003-10-28
MBR1645 肖特基二极管 TO-220-2 30000 面议 GI 2003-10-28
B20100 肖特基二极管 TO-263 30000 面议 MOT 2003-10-28
MBR1660CT 肖特基二极管 TO-220 30000 面议 MOT 2003-10-28
PBYR1545 肖特基二极管 TO-263 10000 面议 PH 2003-10-28
PBYR1545 肖特基二极管 TO-220-2 10000 面议 PH 2003-10-28
MBR8100 肖特基二极管 TO-220-2 10000 面议 HAR 2003-10-28
PALCE16V8H-15 IC DIP20 200 面议 LT 2003-10-28
FML34S 快恢复二极管 TO-3P 500 面议 SAK 2003-10-28
FML32S 快恢复二极管 TO-3P 500 面议 SAK 2003-10-28
APT6015LVR 场效应MOS TO-264 20 面议 APT 2003-10-28
APT10050LVR 场效应MOS TO-264 40 面议 APT 2003-10-28
APT5014LVR 场效应MOS TO-264 40 面议 APT 2003-10-28
APT5014LVR 场效应MOS TO-264 40 面议 APT 2003-10-28
APT8030LVR 场效应MOS TO-264 80 面议 APT 2003-10-28
APT8075BN 场效应MOS TO-3P 50 面议 APT 2003-10-28
APT5022BN 场效应MOS TO-3P 50 面议 APT 2003-10-28
APT5023BN 场效应MOS TO-3P 50 面议 APT 2003-10-28
APT5025BN 场效应MOS TO-3P 50 面议 APT 2003-10-28
APT5027BNR 场效应MOS TO-3P 50 面议 APT 2003-10-28
2SK1358 场效应MOS TO-3P 500 面议 TOSHIBA 2003-10-28
2SK1357 场效应MOS TO-3P 500 面议 TOSHIBA 2003-10-28
2SK790 场效应MOS TO-3P 500 面议 TOSHIBA 2003-10-28
2SK793 场效应MOS TO-3P 500 面议 TOSHIBA 2003-10-28
22SK735 场效应MOS TO-3P 500 面议 NEC 2003-10-28
2SK725 场效应MOS TO-3P 500 面议 FUJI 2003-10-28
2SK1020 场效应 TO-264 500 面议 FUJI 2003-10-27
2SK1837 场效应 TO-264 200 面议 TOSHIBA 2003-10-27
2SK1522 场效应 TO-264 500 面议 TOSHIBA 2003-10-27
SSP5N90 场效应 TO-251 5000 面议 FSC 2003-10-27
IRFU024N 场效应 TO-251 5000 面议 IR 2003-10-27
IRLU024N 场效应 TO-251 5000 面议 IR 2003-10-27
IRFP9240 场效应 TO-247 2000 面议 IR 2003-10-27
IRFP240 场效应 TO-247 2000 面议 IR 2003-10-27
IRF4905 场效应P-MOS TO-220 5000 面议 IR 2003-10-27
50N06 场效应 TO-220 1000 面议 HAR 2003-10-23
6N80 场效应 TO-220 5000 面议 . 2003-10-23
5N80 场效应 TO-220 5000 面议 . 2003-10-23
SSP3N100 场效应 TO-220 1000 面议 FSC 2003-10-23
MTP4N100 场效应 TO-220 6000 面议 IR 2003-10-23
GT40N101 IGBT场效应 TO-264 1000 面议 FSC 2003-10-23
G40N150 IGBT场效应 TO-264 1000 面议 FSC 2003-10-23
G30N120 IGBT场效应 TO-3P 1000 面议 HAR 2003-10-23
G25N120 IGBT场效应 TO-3P 2000 面议 FSC 2003-10-23
G20N120 IGBT场效应 TO-3P 5000 面议 FSC 2003-10-23
MUR1620T 快恢复二极管 TO-220 5000 面议 MOT 2003-10-23
MUR1660T 快恢复二极管 TO-220 5000 面议 GI 2003-10-23
SSP5N90 场效应 TO-220 5000 面议 FSC 2003-10-23
2SK1381 场效应 TO-3P 230 面议 TOSHIBA 2003-10-19
2SK1277 场效应 TO-3P 230 面议 TOSHIBA 2003-10-19
IRFP450 场效应 TO-247 5000 面议 IR 2003-10-19
IRFP460 场效应 TO-247 5000 面议 IR 2003-10-19
IRFP150 场效应 TO-247 5000 面议 IR 2003-10-19
IRFP264 场效应 TO-247 5000 面议 IR 2003-10-19
IRFP9240 场效应 TO-247 2000 面议 IR 2003-10-19
IRFP9240 场效应 TO-247 2000 面议 IR 2003-10-19
IRFP240 场效应 TO-247 2000 面议 IR 2003-10-19
2SK2485 场效应 TO-3P 20000 面议 NEC 2003-10-19
2SK2314 场效应 TO-220 10000 面议 NEC 2003-10-19
IRF820S 场效应 TO-263 10000 面议 IR 2003-10-19
IRF640S 场效应 TO-263 10000 面议 IR 2003-10-19
FN48NS 场效应 TO-263 10000 面议 IR 2003-10-19
2SK1522 场效应 TO-264 500 面议 TOSHIBA 2003-10-19
2SK1019 场效应 TO-264 500 面议 FUJ 2003-10-19
2SK1020 场效应 TO-264 500 面议 FUJI 2003-10-19
APT5010LVFR 场效应 TO-247 50 面议 APT 2003-10-19
APT5015LVFR 场效应 TO-247 50 面议 APT 2003-10-19
APT6015LVR 场效应 TO-247 50 面议 APT 2003-10-19
2SK1837 场效应 TO-247 500 面议 TOSHIBA 2003-10-19
IRFP150 场效应 TO-247P 5000 面议 IR 2003-10-13
APT5015LVR 场效应 TO-264P 200 面议 APT 2003-10-13
APT5027BN 场效应 TO-3P 200 面议 APT 2003-10-13
APT5025BN 场效应 TO-3P 200 面议 APT 2003-10-13
IRFU024A 场效应 TO-251 8000 面议 SEC，IR 2003-10-13
SGL60N90 IGBT，场效应 TO-3P 2000 面议 FSC 2003-10-6
FZ48NS 场效应MOS管 TO-264 4500 面议 TOSHIBA 2003-10-6
2SK1837 场效应MOS管 TO-264 800 面议 TOSHIBA 2003-10-6
2SK1522 场效应MOS管 TO-264 800 面议 TOSHIBA 2003-10-6
2SK1020 场效应MOS管 TO-264 500 面议 FUJ 2003-10-6
SSS10N60A 场效应MOS管 TO-220 30000 面议 FSC 2003-10-6
MBR3040 肖特基二极管 TO-263 20000 面议 GI 2003-9-26
MBR4040 肖特基二极管 TO-263 20000 面议 IR 2003-9-26
30CTQ030 肖特基二极管 TO-263 20000 面议 IR 2003-9-26
G60N170 IGBT TO-264 50 面议 FSC 2003-9-21
IRFBC20 场效应MOS管 TO-220 50000 面议 IR 2003-9-3
D25N06 场效应 TO-251 10000 面议 HAR 2003-8-28
IRF2807S 场效应FET TO-262SMD 20000 面议 IR 2003-8-25
2SC2625 三极管 TO-3P 18000 面议 FUJI 2003-8-25
BUV60 三极管 TO-3 20 面议 . 2003-7-31
LM396 三极管,IC TO-3 10 面议 NS 2003-7-31
IRF2807 场效应 TO-220 3500 面议 HAR 2003-7-31
G25N120 IGBT TO-3P 1500 面议 F 2003-7-28
IR2155 IC DIP8 520 面议 IR 2003-7-28
PSR16C40DT 肖特基二极管 TO-263 25000 面议 GI 2003-7-13
IRFBC40S 场效应MOSFET TO-263 32000 面议 IR 2003-7-13
MBR4060PT 肖特基.二极管 TO-3PB 5000 面议 GI 2003-7-8
MBR1545 肖特,二极管 TO-220 5000 面议 GI 2003-7-5
MBR4060PT 肖特,二极管 TO-3P 5000 面议 GI 2003-7-5
MG50Q2YS50 IGBT模块 OK 20 面议 TOS 2003-7-5
LM396 IC TO-3 15 面议 . 2003-7-5
1570 场效应 251 16600 面议 MALAY 2003-6-30
GT40T301 场效应,IGBT TO-264 500 面议 TOS 2003-6-29
GT40T101 场效应,IGBT TO-264 1000 面议 仙童,TOS 2003-6-29
G40N150 场效应,IGBT TO-264 1000 面议 仙童,TOS 2003-6-29
G20N120 场效应,IGBT TO-3P 1000 面议 仙童 2003-6-29
G25N120 场效应,IGBT TO-3P 1000 面议 仙童 2003-6-29
IRF2807 场效应 TO-220 3000 面议 HAR 2003-6-29
IRF2807 场效应 TO-220 2300 面议 IR 2003-6-29
STW20N50 场效应 TO-247 450 面议 ST 2003-6-29
2SK2485 场效应 TO-3P 15000 面议 NEC 2003-6-29
IRF740 场效应 TO-220 7800 面议 IR 2003-6-19
2SK1507 场效应 TO-220AB 5000 面议 FUJ 2003-6-9
IRG4IBC20FD IGBT,场效应 TO-220AB 18000 面议 IR 2003-6-1
16CTQ100S 肖特基,二极管 TO-263 78000 面议 IR 2003-5-30
IRF3710 场效应 TO-220 4500 面议 IR 2003-5-30
IRF540N 场效应 TO-220 23000 面议 IR 2003-5-30
IRF540N 场效应MOS TO-220 5000 面议 IR 2003-5-24
IRF4905 场效应MOS(P) TO-220 5000 面议 IR 2003-5-24
MBR20100CT 肖特基,二极管 TO-220 45000 面议 IR 2003-5-24
MBR1045T 二极管，肖特基 TO-220 10000 。 GI 2003-5-22
MBR1040 二极管,肖特基 TO-263 10000 . IR 2003-5-20
16CTQ100 二极管,肖特基 TO-263 10000 . IR 2003-5-20
MBR4060PT 肖特基,二极管 TO-3P 150 面议 ON,GI 2003-4-28
IR2135 IC DIP8 50 面议 IR 2003-4-28
IR2101 IC DIP8 34 面议 IR 2003-4-28
IR2111 IC DIP8 70 面议 IR 2003-4-28
IR2111 IC DIP8 45 面议 IR 2003-4-28
EVF31T-050A 电源模块 电源模块 4 面议 FUJI 2003-4-25
MG75J2YS40 电源模块 电源模块 7 面议 TOSHIBA 2003-4-25
MG30G6EL2 电源模块 电源模块 7 面议 TOSHIBA 2003-4-25
MG200Q1US1 电源模块 电源模块 5 面议 TOSHIBA 2003-4-25
D67DE6 电源模块 电源模块 3 面议 OK 2003-4-25
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